THE FORMATION OF DISCRETE ZONES ON THE BASIS OF THEIR ALUMINUM THERMOMIGRATION IN SILICON
Abstract
The study identifies the main types of defects occurring in the formation of discrete zones on the basis of aluminium selective surface wetting of silicon wafers. The dependence of defect formation on the surface microrelief, and the thickness of the protective coating of silicon oxide, the process temperature, the velocity of the melt, the height of the melt and the concentration of additives of gallium to aluminum have been investigated. Statistical processing of a lot set of experimental data allowed to establish the optimal conditions of the process offormation zones and to reduce the total relative amount of all types of defects to values not exceeding 5 %.
Keywords
термомиграция,
жидкая зона,
кремний,
алюминий,
смачивание,
растворение,
thermomigration,
liquid zone,
silicon,
aluminium,
wetting,
dissolution
About the Authors
Boris Seredin
South-Russian state Polytechnic University (NPI) named after M. I. Platov
Russian Federation
Russian Federation
Viktor Popov
South-Russian state Polytechnic University (NPI) named after M. I. Platov
Russian Federation
Russian Federation
Aleksandr Zaichenko
South-Russian state Polytechnic University (NPI) named after M. I. Platov
Russian Federation
Russian Federation
References
1. ГОСТ Р ИСО 25178-2-2014 Геометрические характеристики изделий (gps). Структура поверхности. Ареал. Часть 2. Термины, определения и параметры структуры поверхности.
2. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики (с Изменением № 1).
3. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов // М.: Металлургия, 1987. 232 с.
4. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 105-115.
5. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции / В. Н. Лозовский, Б. М. Середин, А. С. Полухин, А. И. Солодовник // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.
6. Середин Б. М. Исследование кинетики термомиграции при введении добавок Ga в зонообразующий материал Si - Al // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2014. № 3. С. 103-109.
7. Сумм Б. Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. М.: Химия, 1976. 232 с.
8. Технология СБИС / К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгилс: в 2 кн. Кн. 1 / пер. с англ. под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 404 с.
9. Etching optimization of post aluminum-silicon thermomigration process residues / Lu B., Gautier G., Valente D., Morillon B., Alquier D // Microelectronic Engineering. 2016. № 149. P. 97-105.
10. Study of aluminum thermomigration as a low thermal budget technique for innovative power devices / Morillon B., Dilhac J.-M., Ganibal C., Anceau C. // Microelectronics Reliability. 2003. № 43 (4). P. 565-569.
Review
For citations:
Seredin B., Popov V., Zaichenko A. THE FORMATION OF DISCRETE ZONES ON THE BASIS OF THEIR ALUMINUM THERMOMIGRATION IN SILICON. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(1):7-13. (In Russ.)
Views:
69
Email this article 