<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">vestnikskfu</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Вестник Северо-Кавказского федерального университета</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Newsletter of North-Caucasus Federal University</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2307-907X</issn><publisher><publisher-name>North-Caucasus Federal University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">vestnikskfu-608</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>TECHNICAL SCIENCES</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ФОРМИРОВАНИЕ ДИСКРЕТНЫХ ЗОН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ИХ ТЕРМОМИГРАЦИИ В КРЕМНИИ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>THE FORMATION OF DISCRETE ZONES ON THE BASIS OF THEIR ALUMINUM THERMOMIGRATION IN SILICON</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Середин</surname><given-names>Борис Михайлович</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Seredin</surname><given-names>Boris</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">seredinboris@gmail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Попов</surname><given-names>Виктор Павлович</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Popov</surname><given-names>Viktor</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">E-mail: Loz_v_n@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Заиченко</surname><given-names>Александр Николаевич</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zaichenko</surname><given-names>Aleksandr</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">Za_al@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru">Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова<country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en">South-Russian state Polytechnic University (NPI) named after M. I. Platov<country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>05</day><month>03</month><year>2022</year></pub-date><volume>0</volume><issue>1</issue><fpage>7</fpage><lpage>13</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Середин Б.М., Попов В.П., Заиченко А.Н., 2022</copyright-statement><copyright-year>2022</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Середин Б.М., Попов В.П., Заиченко А.Н.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Seredin B., Popov V., Zaichenko A.</copyright-holder><license license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://vestnikskfu.elpub.ru/jour/article/view/608">https://vestnikskfu.elpub.ru/jour/article/view/608</self-uri><abstract><p>Выявлены основные типы дефектов, возникающих при формировании дискретных зон на основе алюминия избирательным смачиванием поверхности пластин кремния. Изучены зависимости дефек-тообразования от микрорельефа поверхности, толщины защитного покрытия оксида кремния, температуры процесса, скорости движения расплава, высоты расплава и концентрации добавок галлия к алюминию. Статистическая обработка большого массива экспериментальных данных позволила установить оптимальные условия процесса формирования зон и снизить суммарное относительное количество всех типов дефектов до значений, не превышающих 5 %.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The study identifies the main types of defects occurring in the formation of discrete zones on the basis of aluminium selective surface wetting of silicon wafers. The dependence of defect formation on the surface microrelief, and the thickness of the protective coating of silicon oxide, the process temperature, the velocity of the melt, the height of the melt and the concentration of additives of gallium to aluminum have been investigated. Statistical processing of a lot set of experimental data allowed to establish the optimal conditions of the process offormation zones and to reduce the total relative amount of all types of defects to values not exceeding 5 %.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>термомиграция</kwd><kwd>жидкая зона</kwd><kwd>кремний</kwd><kwd>алюминий</kwd><kwd>смачивание</kwd><kwd>растворение</kwd><kwd>thermomigration</kwd><kwd>liquid zone</kwd><kwd>silicon</kwd><kwd>aluminium</kwd><kwd>wetting</kwd><kwd>dissolution</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ Р ИСО 25178-2-2014 Геометрические характеристики изделий (gps). Структура поверхности. Ареал. Часть 2. Термины, определения и параметры структуры поверхности.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ГОСТ Р ИСО 25178-2-2014 Геометрические характеристики изделий (gps). Структура поверхности. Ареал. Часть 2. Термины, определения и параметры структуры поверхности.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики (с Изменением № 1).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики (с Изменением № 1).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов // М.: Металлургия, 1987. 232 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов // М.: Металлургия, 1987. 232 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 105-115.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 105-115.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции / В. Н. Лозовский, Б. М. Середин, А. С. Полухин, А. И. Солодовник // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции / В. Н. Лозовский, Б. М. Середин, А. С. Полухин, А. И. Солодовник // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Середин Б. М. Исследование кинетики термомиграции при введении добавок Ga в зонообразующий материал Si - Al // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2014. № 3. С. 103-109.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Середин Б. М. Исследование кинетики термомиграции при введении добавок Ga в зонообразующий материал Si - Al // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2014. № 3. С. 103-109.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сумм Б. Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. М.: Химия, 1976. 232 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сумм Б. Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. М.: Химия, 1976. 232 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Технология СБИС / К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгилс: в 2 кн. Кн. 1 / пер. с англ. под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 404 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Технология СБИС / К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгилс: в 2 кн. Кн. 1 / пер. с англ. под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 404 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Etching optimization of post aluminum-silicon thermomigration process residues / Lu B., Gautier G., Valente D., Morillon B., Alquier D // Microelectronic Engineering. 2016. № 149. P. 97-105.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Etching optimization of post aluminum-silicon thermomigration process residues / Lu B., Gautier G., Valente D., Morillon B., Alquier D // Microelectronic Engineering. 2016. № 149. P. 97-105.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Study of aluminum thermomigration as a low thermal budget technique for innovative power devices / Morillon B., Dilhac J.-M., Ganibal C., Anceau C. // Microelectronics Reliability. 2003. № 43 (4). P. 565-569.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Study of aluminum thermomigration as a low thermal budget technique for innovative power devices / Morillon B., Dilhac J.-M., Ganibal C., Anceau C. // Microelectronics Reliability. 2003. № 43 (4). P. 565-569.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
