ФОРМИРОВАНИЕ ДИСКРЕТНЫХ ЗОН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ИХ ТЕРМОМИГРАЦИИ В КРЕМНИИ
Аннотация
Выявлены основные типы дефектов, возникающих при формировании дискретных зон на основе алюминия избирательным смачиванием поверхности пластин кремния. Изучены зависимости дефек-тообразования от микрорельефа поверхности, толщины защитного покрытия оксида кремния, температуры процесса, скорости движения расплава, высоты расплава и концентрации добавок галлия к алюминию. Статистическая обработка большого массива экспериментальных данных позволила установить оптимальные условия процесса формирования зон и снизить суммарное относительное количество всех типов дефектов до значений, не превышающих 5 %.
Ключевые слова
термомиграция,
жидкая зона,
кремний,
алюминий,
смачивание,
растворение,
thermomigration,
liquid zone,
silicon,
aluminium,
wetting,
dissolution
Об авторах
Борис Михайлович Середин
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова
Россия
Россия
Виктор Павлович Попов
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова
Россия
Россия
Александр Николаевич Заиченко
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова
Россия
Россия
Список литературы
1. ГОСТ Р ИСО 25178-2-2014 Геометрические характеристики изделий (gps). Структура поверхности. Ареал. Часть 2. Термины, определения и параметры структуры поверхности.
2. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики (с Изменением № 1).
3. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов // М.: Металлургия, 1987. 232 с.
4. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Особенности получения силовых кремниевых приборов методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 105-115.
5. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции / В. Н. Лозовский, Б. М. Середин, А. С. Полухин, А. И. Солодовник // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.
6. Середин Б. М. Исследование кинетики термомиграции при введении добавок Ga в зонообразующий материал Si - Al // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2014. № 3. С. 103-109.
7. Сумм Б. Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. М.: Химия, 1976. 232 с.
8. Технология СБИС / К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгилс: в 2 кн. Кн. 1 / пер. с англ. под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 404 с.
9. Etching optimization of post aluminum-silicon thermomigration process residues / Lu B., Gautier G., Valente D., Morillon B., Alquier D // Microelectronic Engineering. 2016. № 149. P. 97-105.
10. Study of aluminum thermomigration as a low thermal budget technique for innovative power devices / Morillon B., Dilhac J.-M., Ganibal C., Anceau C. // Microelectronics Reliability. 2003. № 43 (4). P. 565-569.
Рецензия
Для цитирования:
Середин Б.М., Попов В.П., Заиченко А.Н. ФОРМИРОВАНИЕ ДИСКРЕТНЫХ ЗОН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ИХ ТЕРМОМИГРАЦИИ В КРЕМНИИ. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2017;(1):7-13.
For citation:
Seredin B., Popov V., Zaichenko A. THE FORMATION OF DISCRETE ZONES ON THE BASIS OF THEIR ALUMINUM THERMOMIGRATION IN SILICON. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(1):7-13. (In Russ.)
Просмотров:
63
Послать статью по эл. почте 