ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaP / Si МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ
Аннотация
Методом импульсного лазерного напыления получены гетероструктуры GaP /Si. Проанализированы методы снижения величины механических напряжений в полученных пленках, методом комбинацион но за вр го рассеяния света установлено, что, применяя метод импульсного лазерного напыления при 300 °С для тероструктуры GaP /Si, можно добиться снижения величины механических напряжений. Установлена висимость глубины залегания p-n перехода в гетероструктуре GaP /Si при различных температурах от емени отжига, а также оптимальные параметры получения СЭ на основе гетероструктуры GaP / Si. Исследовано приборное применение гетероструктур GaP/Si в качестве кремниевого солнечного элемента c широкозонным окном GaP. Показано, что максимальное значение напряжения холостого для полученного СЭ достигает 900 мВ при значении внешней квантовой эффективности около 74,5 %.
Об авторах
Олег Васильевич Девицкий
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Игорь Александрович Сысоев
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Виталий Викторович Батищев
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Виктор Александрович Васильев
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Иван Владимирович Касьянов
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. Девицкий О. В., Сысоев И. А. Получение и исследование пленок соединений A3B5 на Si, полученных методом импульсного лазерного напыления // Сборник научных трудов по итогам Международной научно-практической конференции (г. Новосибирск). 2016. № 3. 187 с
2. Девицкий О. В., Сысоев И. А. Программа моделирования получения гетероструктур A3B5 на подложке Si методом импульсного лазерного напыления: свидетельство на программу для ЭВМ № 2016616327 от 09 июня 2016 г.
3. Многокомпонентные гетероструктуры А<sup>III</sup>В<sup>V</sup> на Si-подложках / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах: тезисы докладов V конференции. Т. II. Калуга, 1990. С. 41-42.
Рецензия
Для цитирования:
Девицкий О.В., Сысоев И.А., Батищев В.В., Васильев В.А., Касьянов И.В. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaP / Si МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2016;(5):12-17.
For citation:
Devitsky O., Sysoev I., Batishchev V., Vasiliev V., Kasyanov I. PREPARATION AND RESEARCH OF HETEROSTRUCTURES GaP / Si BY PULSED LASER DEPOSITION. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2016;(5):12-17. (In Russ.)
Просмотров:
97
Послать статью по эл. почте 