ПЕРСПЕКТИВЫ ПОЛУЧЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs
Аннотация
В работе проведен расчет структуры двухпереходных солнечных элементов на основе варизонных гетероструктур AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs. Показано, что кпд двухпереходных варизонных солнечных элементов на основе гетероструктур AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs может достигать 28,1 % при AM1.5. Была исследована зависимость эффективности преобразования солнечной энергии данных солнечных элементов от времени жизни неосновных носителей заряда и толщины фотоактивных слоев.
Об авторах
Олег Васильевич Девицкий
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Игорь Александрович Сысоев
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Иван Владимирович Касьянов
Северо-Кавказский федеральный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. King R. R., Law D. C., Edmondson K. M. et al. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007).
2. Сысоев И. А., Девицкий О. В. Моделирование процесса получения твердых растворов соединений AIIIBV градиентной эпитаксией в сборнике: Мир науки глазами современной молодежи: материалы Всероссийской научной конференции. 2014. С. 217-224.
3. Green M. A. Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. Hawaii, USA, 2006. P. 15.
4. Девицкий О. В. Исследование влияния состава на выходные характеристики фотопреобразователей Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As - In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As // Сборник материалов Х Ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН: тезисы докладов (г. Ростов-на-Дону, 14-29 апреля 2014 г.). Ростов-н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. 410 с.
5. Девицкий О. В., Сысоев И. А. Моделирование солнечного элемента на основе гетероструктур Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As - In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As // Вестник Северо-Кавказского федерального университета: научный журнал. Ставрополь: Изд-во СКФУ 2015. № 3 (48).
6. Geisz J. F., Friedman D. J., Kurtz S. R. Proc 29th IEEE PVSC (New Orleans, LA, 2002) p. 864.
7. Dae-Seon Kim, Yonkil Jeong, Hojung Jeong. Jae-Hyung Jang, Triple-junction InGaP/GaAs/Ge solar cells integrated with polymethyl methacrylate subwavelength structure, Applied Surface Science. 2014. Volume 320. 30 November. P. 901-907.
Рецензия
Для цитирования:
Девицкий О.В., Сысоев И.А., Касьянов И.В. ПЕРСПЕКТИВЫ ПОЛУЧЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2015;(4):14-20.
For citation:
Devitsky O., Sysoev I., Kasyanov I. THE PROSPECT OF GETTING SOLAR CELLS BASED ON GRADED-GAP HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2015;(4):14-20. (In Russ.)
Просмотров:
69
Послать статью по эл. почте 