КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ
Аннотация
В статье приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей крем-локально перекристаллизованных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоны кремниевой подложки. Селективным травлением кремния установлено, что в перекристаллизованном канале имеются области с повышенной дефектностью. Определено, что эти области расположены у поверхностей подложки, глубина этих областей не превышает толщины жидкой зоны. Вне дефектных областей канал имеет низкие значения плотности дислокаций и высокую степень монокристалличности кремния. С помощью методов рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения выявлено, что на границе «канал - подложка» имеют место дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены {311} - дефекты.
Ключевые слова
термомиграция,
кремний,
подложка,
монокристалл,
дислокации,
кремний-алюминиевая зона,
thermomigration,
silicon,
substrate,
monocrystal,
dislocation,
silicon-aluminum zone
Об авторах
Владимир Николаевич Лозовский
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова
Россия
Россия
Леонид Сергеевич Лунин
Северо-Кавказский Федеральный университет
Россия
Россия
Борис Михайлович Середин
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова
Россия
Россия
Олег Васильевич Девицкий
Северо-Кавказский Федеральный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987.
2. Попов В. П., Балюк А. В., Добкина А.М. Кристаллическое совершенство кремния, выращенного из тонкого слоя раствора-расплава Si-Al в поле температурного градиента // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т. 24. С. 1072-1074.
3. Середин Л. М., Середин Б. М, Князев С. Ю. Исследование причин невоспроизводимого формирования дискретных зон избирательным смачиванием // Изв. вузов. Сев.-Кав. регион. Технические науки. 2014. № 1 (176). С. 125-130.
4. Takeda S., Kohyama M., Ibe K. Interstitial defects on {'113} in Si and Ge Line defect configuration incorporated with a selfinterstitial atom chain. Philosophical Magazine A. 1994. V70 (2). P. 287.
Рецензия
Для цитирования:
Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Середин Б.М., Девицкий О.В. КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2016;(3):24-30.
For citation:
Lozovskij V., Lunin L., Seredin B., Devitsky O. CRYSTAL PROPERTIES OF SILICON OBTAINED BY THERMOMIGRATION. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2016;(3):24-30. (In Russ.)
Просмотров:
82
Послать статью по эл. почте 