INDUCED INSTABILITY IN INTERPHASE BOUNDARIES THERMOMIGRATION
Abstract
The article describes a method of detecting the predicted theoretically transfer local perturbation effect on one of the interface flat liquid zone to another when it thermomigration in the crystal. The results of experimental studies of the features of the induced perturbation and its impact on the stability of the flat zone as a whole. It was found that the effect of induced instability could be the basis for a method of forming semiconductor wafers in volume of regular structures in the form of bands of deep electron-hole transitions and through the conducting channels. A method of using induced instability effect for silicon device structures.
Keywords
термомиграция,
жидкая зона,
межфазная граница,
кристаллизация,
растворение,
локальное возмущение,
перекристаллизованный слой,
p-n-переход,
thermomigration,
the liquid solvent zone,
an interfacial boundary dissolution,
crystallization,
dissolution,
local perturbation,
recrystallized layer,
a p-n junction
About the Authors
Vladimir Lozovskij
Platov South-Russian state polytechnic university
Russian Federation
Russian Federation
Vladimir Lozovskij
Platov South-Russian state polytechnic university
Russian Federation
Russian Federation
Leonid Lunin
Southern Scientific Center RAS
Russian Federation
Russian Federation
Boris Seredin
Platov South-Russian state polytechnic university
Russian Federation
Russian Federation
Igor Sysoev
North Caucasus Federal Univercity
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Бучин Э. Ю., Денисенко Ю. И. Использование процессов термомиграции в технологии МЭМС // Нано-и микросистемная техника. 2005. № 9. С. 29.
2. Бучин Э. Ю., Денисенко Ю. И., Симакин С. Г. Структура термомиграционных каналов в кремнии // Письма в ЖТФ. 2004. Вып. 5. С. 70.
3. Зайденстикер Р. Устойчивость поверхности раздела фаз при зонной плавке с градиентом температуры // Устойчивость при зонной плавке: сб. ст. М.: Мир. 1968. С. 197.
4. Князев С. Ю. Исследование стабильности термомиграции ансамбля линейных зон с помощью трехмерной компьютерной модели, построенной на основе метода точечных источников поля / С. Ю. Князев, Л. С. Лунин, Б. М. Середин, А. С. Полухин, Е. Е. Щербакова // Вестник Южного научного центра РАН. 2015. № 4. С. 9-15.
5. Князев С. Ю. Метод точечных источников для компьютерного моделирования физических полей в задачах с подвижными границами: дис.. д-ра техн. наук: 05.13.18 / Сергей Юрьевич Князев. Новочеркасск, 2011. 341 с.
6. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
7. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Oсобенности получения силовых кремниевых приборов методом термомомиграции // Электронная техника. Сер. 2. 2015. Вып. 2-3. С. 103.
8. Лозовский В. С. Моделирование эволюции межфазных границ при термомиграции жидкой зоны в кристалле методом точечных источников: дис.. канд. техн. наук: 05.13.18 / Владимир Сергеевич Лозовский. Новочеркасск, 2012. 185 с.
9. Середин Б. М., Благин А. В. Исследование процессов деформации плоских слоев растворителя при термомиграции через кремниевые подложки // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2013. №. 6. С. 122.
10. Lu B., Gautier G., Valente D., Morillon B., Alquier D. Etching optimization of post aluminum-silicon thermomigration process residues // Microelectronic Engineering 2016. V. 149. P. 97.
Review
For citations:
Lozovskij V., Lozovskij V., Lunin L., Seredin B., Sysoev I. INDUCED INSTABILITY IN INTERPHASE BOUNDARIES THERMOMIGRATION. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2016;(2):25-30. (In Russ.)
Views:
116
Email this article 