GERMANIUM LAYERS ON SILICON PRODUCED BY THERMAL CRYSTALLIZATION FROM A DISCRETE LIQUID SOURCE
Abstract
Features of a method of thermal crystallization from a discrete liquid source through a little vacuum zone to produce thin ilm Ge/Si heterostructures onto large substrates were investigated. It is established the obtaining conditions for growing of homogeneous in thickness layers. The temperature dependence of structural perfection of germanium layers on silicon substrates and the optimal technological conditions were found.
About the Authors
Sergei Nikolaevich Chebotarev
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
Alexey Nikolaevich Yatsenko
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
Vladimir Nikolaevich Lozovskii
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
Viktor Pavlovich Popov
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
Polina Borisovna Seredina
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
Lidiya Mikhailovna Goncharova
Platov South-Russian State Polytechnical
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Рыбальченко Д. В. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопре-образователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии / Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 1. С. 94-100.
2. Никитина Е. В. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов / Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 663-667.
3. Chebotarev S. N. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering / S. N. Chebotarev, E. N. Zhivotova, G. A. Erimeev, A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, M. L. Lunina // Beilstein Journal of Nanotechnology. 2017. Т. 8. № 1. С. 12-20.
4. Гуляев Ю. В., Ждан А. Г., Чучева Г. В. Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2011. № 3(91). С. 3-5.
5. Nikiforov A. I., Timofeev V. F., Pchelyakov O. P. Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers // Applied Surface Science. 2015. Т. 354. С. 450-452.
6. Тимофеев В. А. Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn / В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров, В. И. Машанов, А. Р. Тукта-мышев, И. Д. Лошкарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58. № 7. С. 81-85.
7. Лунин Л. С. Ионно-лучевая кристаллизация нанокластеров Ge на Si(001) / Л. С. Лунин, С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко, М. Л. Лунина // Наука Юга России. 2012. Т. 8. № 2. С. 9-12.
8. Никифоров А. И. Формирование наногетероструктур Ge/Si и Ge/GexSi1-x/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс, О. П. Пчеляков // Автометрия. 2014. Т. 50. № 3. С. 5-12.
9. Крыжановская Н. В. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(n), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100) / Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубав-кина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 2. С. 276-280.
10. Lozovskii V. N. Formation and use of positioning marks in scanning probe microscopy / V N. Lozovskii, S. N. Chebotarev, V. A. Irkha, G. V. Valov // Technical Physics Letters. 2010. Vol. 36. № 8. С. 737-738.
11. Лозовский В. Н., Лозовский С. В., Чеботарев С. Н. Исследование краевого температурного эффекта при зонной сублимационной перекристаллизации // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2007. № 5. С. 52-56.
12. Лозовский В. Н. Осаждение тугоплавких металлов на рельефные подложки методом зонной сублимационной перекристаллизации / В. Н. Лозовский, С. В. Лозовский, С. Н. Чеботарев, В. А. Ирха // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2007. № 4. С. 68-70.
13. Lozovskii V N., Lozovskii S. N., Valov G. V Sorption vacuumization of a growth cell during zone sublimation recrystallization // Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. № 2. P. 175-178.
14. Лозовский В. Н., Лозовский С. В., Чеботарев С. Н. Моделирование массопереноса примесей при зонной сублимационной перекристаллизации в цилиндрической ростовой зоне // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2006. № 3. С. 60-63.
15. Лозгачев В. И. Распределение потоков молекул на плоскости при испарении в вакууме // Журнал технической физики. 1962. Т. 32. № 8. С. 1012-1022.
Review
For citations:
Chebotarev S.N., Yatsenko A.N., Lozovskii V.N., Popov V.P., Seredina P.B., Goncharova L.M. GERMANIUM LAYERS ON SILICON PRODUCED BY THERMAL CRYSTALLIZATION FROM A DISCRETE LIQUID SOURCE. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(6):36-44. (In Russ.)
Views:
72
Email this article 