ГЕРМАНИЕВЫЕ СЛОИ НА КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ ИЗ ДИСКРЕТНОГО ЖИДКОФАЗНОГО ИСТОЧНИКА
Аннотация
Исследованы особенности получения тонкопленочных Si/Ge гетероструктур большой площади методом термической кристаллизации из дискретного жидкофазного источника через тонкую вакуумную зону. Определены условия получения однородных по толщине слоев. Установлена температурная зависимость структурного совершенства германиевых слоев на кремниевых подложках и выявлены оптимальные технологические условия ростового процесса.
Об авторах
Сергей Николаевич Чеботарев
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Алексей Николаевич Яценко
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Владимир Николаевич Лозовский
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Виктор Павлович Попов
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Полина Борисовна Середина
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Лидия Михайловна Гончарова
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М. И. Платова
Россия
Россия
Список литературы
1. Рыбальченко Д. В. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопре-образователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии / Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 1. С. 94-100.
2. Никитина Е. В. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов / Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 663-667.
3. Chebotarev S. N. Obtaining and doping of InAs-QD/GaAs(001) nanostructures by ion beam sputtering / S. N. Chebotarev, E. N. Zhivotova, G. A. Erimeev, A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, M. L. Lunina // Beilstein Journal of Nanotechnology. 2017. Т. 8. № 1. С. 12-20.
4. Гуляев Ю. В., Ждан А. Г., Чучева Г. В. Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2011. № 3(91). С. 3-5.
5. Nikiforov A. I., Timofeev V. F., Pchelyakov O. P. Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers // Applied Surface Science. 2015. Т. 354. С. 450-452.
6. Тимофеев В. А. Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn / В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров, В. И. Машанов, А. Р. Тукта-мышев, И. Д. Лошкарев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58. № 7. С. 81-85.
7. Лунин Л. С. Ионно-лучевая кристаллизация нанокластеров Ge на Si(001) / Л. С. Лунин, С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко, М. Л. Лунина // Наука Юга России. 2012. Т. 8. № 2. С. 9-12.
8. Никифоров А. И. Формирование наногетероструктур Ge/Si и Ge/GexSi1-x/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс, О. П. Пчеляков // Автометрия. 2014. Т. 50. № 3. С. 5-12.
9. Крыжановская Н. В. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(n), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100) / Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубав-кина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 2. С. 276-280.
10. Lozovskii V. N. Formation and use of positioning marks in scanning probe microscopy / V N. Lozovskii, S. N. Chebotarev, V. A. Irkha, G. V. Valov // Technical Physics Letters. 2010. Vol. 36. № 8. С. 737-738.
11. Лозовский В. Н., Лозовский С. В., Чеботарев С. Н. Исследование краевого температурного эффекта при зонной сублимационной перекристаллизации // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2007. № 5. С. 52-56.
12. Лозовский В. Н. Осаждение тугоплавких металлов на рельефные подложки методом зонной сублимационной перекристаллизации / В. Н. Лозовский, С. В. Лозовский, С. Н. Чеботарев, В. А. Ирха // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2007. № 4. С. 68-70.
13. Lozovskii V N., Lozovskii S. N., Valov G. V Sorption vacuumization of a growth cell during zone sublimation recrystallization // Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. № 2. P. 175-178.
14. Лозовский В. Н., Лозовский С. В., Чеботарев С. Н. Моделирование массопереноса примесей при зонной сублимационной перекристаллизации в цилиндрической ростовой зоне // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2006. № 3. С. 60-63.
15. Лозгачев В. И. Распределение потоков молекул на плоскости при испарении в вакууме // Журнал технической физики. 1962. Т. 32. № 8. С. 1012-1022.
Рецензия
Для цитирования:
Чеботарев С.Н., Яценко А.Н., Лозовский В.Н., Попов В.П., Середина П.Б., Гончарова Л.М. ГЕРМАНИЕВЫЕ СЛОИ НА КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ ИЗ ДИСКРЕТНОГО ЖИДКОФАЗНОГО ИСТОЧНИКА. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2017;(6):36-44.
For citation:
Chebotarev S.N., Yatsenko A.N., Lozovskii V.N., Popov V.P., Seredina P.B., Goncharova L.M. GERMANIUM LAYERS ON SILICON PRODUCED BY THERMAL CRYSTALLIZATION FROM A DISCRETE LIQUID SOURCE. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(6):36-44. (In Russ.)
Просмотров:
70
Послать статью по эл. почте 