INFLUENCE OF GALLIUM AND TIN ON THE PROCESS OF THERMOMIGRATION OF LIQUID ZONES BASED ON ALUMINUM IN SILICON
Abstract
The effect of Ga and Sn additives on the kinetics and stability of the process of thermal immigration of liquid zones based on aluminum in silicon is analyzed. The threshold values of the temperature of the beginning of the thermomigration process are determined throughout the range of the composition of the zones. A monotonous increase in the temperature of the onset of motion of liquid bands with increasing concentrations of Ga and Sn was observed. An increase in the rate of thermomigration of the melt zones with increasing Ga concentration in the melt at temperatures above 1473 К and a decrease in the velocity at a lower temperature have been revealed. An increase in the concentration of Sn leads to a decrease in the rate of thermomigration in the entire temperature range. The stability of the thermomigration of the zones with Ga and Sn additions increases with increasing process temperature.
Keywords
термомиграция,
жидкая зона,
расплав,
фазовая диаграмма,
thermomigration,
liquid zone,
melt,
phase diagram
About the Authors
Viktor Popov
South-Russian State Polytechnic University
Russian Federation
Russian Federation
Boris Seredin
South-Russian State Polytechnic University
Russian Federation
Russian Federation
Aleksandr Zaichenko
South-Russian State Polytechnic University
Russian Federation
Russian Federation
Polina Seredina
South-Russian State Polytechnic University
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
2. Лозовский В. Н., Середин Б. М. Физические аспекты выбора термомиграции в качестве метода локального легирования кристаллов // Фундаментальные исследования. 2015. № 3. С. 111-118.
3. Лозовский В. Н., Попов В. П., Середин Б. М. Сравнение диффузионных и эпитаксиальных методов получения радиационно-стойких структур силовых полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2015. № 3. С. 57-61.
4. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Влияние профиля анодного перехода структур силовых приборов на прямое падение напряжения // Электромеханика. 2015. № 5 (541). С. 54-58.
5. Середин Б. М. О пределе инжектирующей способности кремниевых р+n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов / Б. М. Середин, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 6. С. 830-834.
6. Лозовский В. Н., Середин Б. М., Полухин А. С. и др. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.
7. Середин Б. М., Благин А. В. Исследование процессов деформации плоских слоёв растворителя при термомиграции через кремниевые подложки // Известия вузов. Сев.-Кавк. региона. Техн. науки. 2013. № 6. С. 122-127.
Review
For citations:
Popov V., Seredin B., Zaichenko A., Seredina P. INFLUENCE OF GALLIUM AND TIN ON THE PROCESS OF THERMOMIGRATION OF LIQUID ZONES BASED ON ALUMINUM IN SILICON. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(5):39-45. (In Russ.)
Views:
114
Email this article 