ВЛИЯНИЕ ГАЛЛИЯ И ОЛОВА НА ПРОЦЕСС ТЕРМОМИГРАЦИИ ЖИДКИХ ЗОН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ В КРЕМНИИ
Аннотация
Проанализировано влияние добавок Ga и Sn на кинетику и стабильность процесса термомиграции жидких зон на основе алюминия в кремнии. Во всем диапазоне составов зон определены пороговые значения температуры начала процесса термомиграции. Обнаружено монотонное возрастание температуры начала движения жидких зон с увеличением концентрации Ga и Sn. Выявлено увеличение скорости термомиграции зон расплава с повышением в расплаве концентрации Ga при температурах, выше 1473 К, и снижение скорости при меньшей температуре. Рост концентрации Sn приводит к снижению скорости термомиграции во всём диапазоне температур. Стабильность термомиграции зон с добавками Ga и Sn повышается с увеличением температуры процесса.
Ключевые слова
термомиграция,
жидкая зона,
расплав,
фазовая диаграмма,
thermomigration,
liquid zone,
melt,
phase diagram
Об авторах
Виктор Павлович Попов
Южно-Российский государственный политехнический университет
Россия
Россия
Борис Михайлович Середин
Южно-Российский государственный политехнический университет
Россия
Россия
Александр Николаевич Заиченко
Южно-Российский государственный политехнический университет
Россия
Россия
Полина Борисовна Середина
Южно-Российский государственный политехнический университет
Россия
Россия
Список литературы
1. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
2. Лозовский В. Н., Середин Б. М. Физические аспекты выбора термомиграции в качестве метода локального легирования кристаллов // Фундаментальные исследования. 2015. № 3. С. 111-118.
3. Лозовский В. Н., Попов В. П., Середин Б. М. Сравнение диффузионных и эпитаксиальных методов получения радиационно-стойких структур силовых полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2015. № 3. С. 57-61.
4. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Середин Б. М. Влияние профиля анодного перехода структур силовых приборов на прямое падение напряжения // Электромеханика. 2015. № 5 (541). С. 54-58.
5. Середин Б. М. О пределе инжектирующей способности кремниевых р+n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов / Б. М. Середин, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 6. С. 830-834.
6. Лозовский В. Н., Середин Б. М., Полухин А. С. и др. Оборудование для получения кремниевых структур методом термомиграции // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2015. № 5 (239). С. 65-76.
7. Середин Б. М., Благин А. В. Исследование процессов деформации плоских слоёв растворителя при термомиграции через кремниевые подложки // Известия вузов. Сев.-Кавк. региона. Техн. науки. 2013. № 6. С. 122-127.
Рецензия
Для цитирования:
Попов В.П., Середин Б.М., Заиченко А.Н., Середина П.Б. ВЛИЯНИЕ ГАЛЛИЯ И ОЛОВА НА ПРОЦЕСС ТЕРМОМИГРАЦИИ ЖИДКИХ ЗОН НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ В КРЕМНИИ. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2017;(5):39-45.
For citation:
Popov V., Seredin B., Zaichenko A., Seredina P. INFLUENCE OF GALLIUM AND TIN ON THE PROCESS OF THERMOMIGRATION OF LIQUID ZONES BASED ON ALUMINUM IN SILICON. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(5):39-45. (In Russ.)
Просмотров:
113
Послать статью по эл. почте 