СИНТЕЗ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В РЕАКТОРЕ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ
Аннотация
Ключевые слова
Об авторах
Владимир Яковлевич МартенсРоссия
Святослав Олегович Крандиевский
Россия
Илья Васильевич Никитин
Россия
Список литературы
1. Chelnokov V. E., Syrkin A. L. High temperature electronics using Sic: actual situation and unsolved problems // Materials science and Engineering B. 1997. V. 46. P. 248-253.
2. Хениш Г., Рой Р. М. Карбид кремния / пер. с англ. М.: Мир, 1972. 349 с.
3. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники / С. И. Рембеза, Б. М. Синельников, Е. С. Рембеза, Н. И. Каргин. Ставрополь: СевКавГТУ, 2002. 432 с.
4. Chen J., Steckl A., Loboda M. Grows and Characterization of N-doped SiC Films from Trimethylsilane // Materials science forum. 2000. V. 338-342. P. 273-276.
Рецензия
Для цитирования:
Мартенс В.Я., Крандиевский С.О., Никитин И.В. СИНТЕЗ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В РЕАКТОРЕ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ. Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2017;(3):24-27.
For citation:
Martens V., Krandievsky S., Nikitin I. CARBIDE FILM FILMS BY CHEMICAL DEPOSITION FROM THE GAS PHASE IN A REACTOR WITH COLD WALLS. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2017;(3):24-27. (In Russ.)