SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
Abstract
The program Silvaco TCAD simulated electrical parameters of solar cells based on AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs under AM 1.5 for different values of x. It is shown that the solar cells on the basis of AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs may be quite higher efficiency compared to the efficiency of conventional solar cells.
References
1. Atlas - Device Simulation Framework. [Электронный ресурс] URL: http://www.silvaco.com/products/ tcad/device_simulation/atlas/atlas.html (дата обращения 12.02.2015).
2. Сысоев И. А., Девицкий О. В. Моделирование процесса получения твердых растворов соединений A3B5 градиентной эпитаксией // Всероссийская научная конференция «Мир науки глазами современной моло-дежи»: сборник научных трудов (Ставрополь, 15 декабря 2014 г.). Ставрополь, 2014.
3. NSM Archive - Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) - Band structure and carrier concentration. [Элек-тронный ресурс]. URL: http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/bandstr.html (дата обращения 01.03.2015).
4. NSM Archive - Gallium Indium Arsenide GaInAs) - Band structure. [Электронный ресурс] URL: http:// www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/bandstr.html (дата обращения 01.03.2015).
5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Ч. 2., М.: Мир, 1984. 456 с.
Review
For citations:
Devitsky O.V., Sysoev I.A. SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs. Newsletter of North-Caucasus Federal University. 2015;(3):16-21. (In Russ.)
Views:
86
Email this article 