ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОВ РАМАНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР A₃B₅/SI (100), ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ

В статье рассматривается задача по определению спектров комбинационного рассеивания света в гетероструктурах AlGa As P /Si Al Ga As / Si. Целью работы стало исследование спектров комбинационного рассеяния гетероструктур соединений Al Ga As₁ Py / Si Al Ga As / Si, полученных методом импульсного лазерного напыления (ИЛИ). Для гетероструктур, выращенных на кремниевых подложках, с ориентацией (100) сдвиги частот оптических фононов, полученных при T= 300 °Сминимальны и составляют 10 см^-1 Исходя из этого можно сделать вывод о том, что снижение температуры синтеза гетероструктур типа AlGa As P / Si до T=300 °С позволяет получать образцы с пониженным значением уровня механических напряжений. Показано, что методом импульсного лазерного напыления, на примере AlGaAs / Si, можно получать гетероструктуры Aß/Si достаточно высокого качества.

гетероструктуры соединений Aß₅, импульсное лазерное напыление, комбинационное рассеяние света, AlGa_- As /Si, AlGa_-xPyAs₁ /Si, GaP, солнечные элементы, eterostructures A₃B₅ compounds, pulsed laser deposition, Raman scattering, AlxGa1-xAs / Si, AlxGa1-xPyAs1-y / Si, AGaP, Asolar cells

1. Буримов В. Н., Жерихин А. Н., Попков В. Л. Импульсное лазерное напыление пленок InxGa1-xAs // Квантовая электроника. 1996. №1. С. 73-75.

2. Винокуров Д. А., Капитонов В. А., Лютецкий А. В. и др. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP / GaAs // ФТП. 2012. Т. 46. № 10. С. 1344-1348.

3. Девицкий О. В., Сысоев И. А. Получение гетероструктур AlGaAs / GaP / Si методом вакуумной лазерной абляции для перспективных солнечных элементов // Science in the modern information society VII: Proceedings of the Conference. North Charleston, 9-10.11.2015. Vol. 2. North Charleston, SC, USA: CreateSpace, 2015. P. 34-38.

4. Девицкий О. В., Сысоев И. А. Получение и исследование пленок соединений A3B5 на Si, полученных методом импульсного лазерного напыления // Сборник научных трудов по итогам Международной научно-практической конференции (Новосибирск). 2016. № 3. 187 с.

5. Середин П. В., Глотов А. В., Домашевская Э. П., Арсеньтев И. Н., Винокуров Д. А., Тарасов И. С., Журбина И. А. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs / GaAs (100) // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Выпуск 2.

6. Hayes W & Loudon R. Scattering of light by crystals. New York: John Wiley & Sons, 1978. 360 p.

7. Kaoa Y. H., Islam M. N., Saylor J. M., Slusher FL E., Hobson W. S. Raman effect in AllGaAs waweguides for subpicosecond pulses // J. Appl. Phys. Vol. 78. No. 4. 15 August 1995. P. 2203-2209.

8. NSM Archive - Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) - TCier-mal Properties. URL: http://www.ioffe.ru/SVAA/ NSM/Semicond/AlGaAs/thermal.html/ (дата обращения: 09.05.2016).

9. Sadao Adachi Optical Properties of Crystalline and Amorphous Semiconductors // Springer Science Bisiness Media New York, 1999. 257 p.

10. Thermal properties of Silicon (Si). URL: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/thermal.html/ (дата обращения: 09.05.2016).

11. Wang W. I. Molecular beam epitaxial growth and material properties of GaAs and AlGaAs on Si (100) // Appl. Phys. 1984. Lett. 44. 1149 p.